LED灯珠和LED芯片有什么区别?

LED芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。它是LED灯珠的心脏。

而LED灯珠则是将LED芯片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来而组成的一个发光体。

1、两者的光线集中度不同，射程也不同：

LED灯珠的角度做的非常小，属于光线比较集中，射程的很远，但是照射范围有限;而LED贴片的一般角度做的都很大，属于光线比较散乱，照射范围广，但是射程比较近。

2、采用的发光方式不同：

LED灯珠是采用放电放光，而LED贴片采用於冷性发光。3、优缺点不同：

LED灯珠：对于led灯珠，led灯珠外形经历了直插、贴片，随着技术进步，顺理成章地出现了将多个led发光芯片，高度集成直接封装在基板上(电路、散热一体设计)，形成结构紧凑、大功率、超大功率led发光元件，这就是“COB”(看似一个灯珠，实际上是一组灯珠)。

LED芯片：集成LED一般是市场上对COB光源的一种别称，但实际上并不能将COB光源的特点描述清楚。COB指Chip-On-Board，将小功率芯片直接封装到铝基板上快速散热，芯片面积小，散热效率高、驱动电流小。因而具有低热阻、高热导的高散热性。

相比普通SMD小功率光源特点：亮度更高，热阻小(<6℃/W)，光衰更小，显指更高，光斑完美，寿命长。

可靠性Reliability是led灯珠的耐久力的测定，主要典型的ICled灯珠的生命周期可以用浴缸曲线Bathtub Curve表示。

如该图所示，集成电路的故障原因大致分为三个阶段。

Region（I）被称为早逝期，这个阶段led灯珠的失效率急速下降，失效的原因是IC设计和生产过程的缺陷。

Region（II）被称为使用期间，该阶段led灯珠的失效率稳定，失效的原因多为温度变化等随机。

Region（III）被称为磨损期，这个阶段led灯珠的失效率急速上升，失效的原因是led灯珠长期使用导致的老化等。

军需产业级零部件老化筛选

设备寿命测试

ESD等级、Latchup测试评价

高温成分试验

集成电路微缺陷分析

包缺陷无损检测及分析

电气移动、热载波评价分析

根据考试等级分为以下种类。

一、使用寿命测试项目（Life testitems）

EFR：早期失效等级考试（Early fail Rate Test）

目的：评估过程的稳定性，加速缺陷的低效，消除因天生原因而失效的led灯珠。

试验条件：在特定时间内使温度和电压动态上升led灯珠试验

失效机制：因生产氧化层缺陷、金属电镀、离子污染等而失效的材料或工艺缺陷

基准：

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

HTOL/LtoL:高/低温操作寿命测试（High/Low Temperature Operating Life）

目的：评估设备在超热和超电压下的耐力

测试条件：125℃，1.1VCC，动态测试

失效机制：电子迁移、氧化层破裂、相互扩散、不稳定、离子污染等

引用数据：

在125°C的条件下通过1000小时的试验IC保证4年的持续使用，2000小时的试验可以保证8年的持续使用。150℃1000小时试验使用保证8年、2000小时使用保证28年

基准：

MIT-STD-883E Method 1005.8

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

二、环境测试项目Environmental testitems

PRE-CON：预处理测试（（Precondition Test）

目的：模拟使用前在一定湿度、温度条件下保存的耐久力，即IC从生产到使用之间保存的可靠性

THB：加速式温湿度及偏压试验（Temperature Humidity Bias Test）

目的：ICled灯珠在高温、高湿、偏压条件下对湿气的抵抗能力进行评价，加速其失效过程

测试条件：85℃，85%RH，1.1VCC，Static bias

失效机制：电解腐蚀

基准：

JESD22-A101-D

EIAJED- 4701-D122

高加速温湿度及偏压测试（HAST:Highly AcceleratEDStress Test）

目的：ICled灯珠评价偏压下的高温、高湿、高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程

测试条件：130℃，85%RH，1.1VCC，Static bias，2.3atm

失效机制：电离腐蚀，封装密封性

基准：

JESD22-A110

pCT：高压蒸煮试验PREssure Cook TestAutoclave Test）

目的：ICled灯珠高温、高湿、高气压条件下对湿度的抵抗能力进行评价，加速其失效过程

测试条件：130℃，85%RH，Static bias，15PSIG（2atm

失效机制：化学金属腐蚀、封装密封性

基准：

JESD22-A102

EIAJED- 4701-B123

*HAST和THB的区别在于温度高，实验时间考虑到压力因素可以缩短，但pCT不偏压，湿度增加。

TCT：高低温循环测试（Temperature Cycling Test）

目的：评估ICled灯珠中不同热膨胀系数金属之间界面的接触良率。该方法是将循环流的空气从高温反复变化到低温。

试验条件：

CONdition B:-55℃ to 125℃

CONdition C: -65℃ to 150℃

失效机制：电介质的断裂，导体和绝缘体的断裂，不同界面的分层

基准：

MIT-STD-883E Method 1010.7

JESD22-A104-A

EIAJED- 4701-B-131

TST：高低温冲击试验（ThermAlShock Test）

目的：评估ICled灯珠中不同热膨胀系数金属之间界面的接触良率。该方法是由循环流引起的液体从高温到低温的反复变化。

试验条件：

CONdition B: - 55℃ to 125℃

CONdition C: - 65℃ to 150℃

失效机制：电介质的断裂、材料的劣化bond wires、导体的机械变形

基准：

MIT-STD-883E Method 1011.9

JESD22-B106

EIAJED- 4701-B-141

*TCT和TST的区别是，TCT偏向package的考试，TST偏向结晶园的考试

HTST：高温储藏试验（High Temperature Storage Life Test）

目的：ICled灯珠评价实际使用前在高温条件下维持数年不工作状态的生命时间

试验条件：150℃

失效机制：化学和扩散效果，Au？Al共金效果

基准：

MIT-STD-883E Method 1008.2

JESD22-A103-A

EIAJED- 4701-B111

可焊性试验（Solderability Test ）

目的：IC leads锡粘合过程中可靠性的评价

测试方法：

第1步：蒸汽老化8小时

第二步：在245℃的锡钵中浸泡5秒

失效标准（Failure Criterion）：至少95%的良率

具体的测试条件和估计结果可以参考以下基准。

MIT-STD-883E Method 2003.7

JESD22-B102

SHTTest：焊接热耐久测试（Solder Heat Resistivity Test）

目的：对瞬间高温IC灵敏度的评价

试验方法：进入260°C锡钵10秒

失效标准（Failure Criterion）：根据电气试验结果

具体的测试条件和估计结果可以参考以下基准。

MIT-STD-883E Method 2003.7

EIAJED- 4701-B106

三、耐久性试验项目（Enderance testitems

循环耐久试验（Enderance Cycling Test）

目的：评估非易失性memory设备的多次读写后的持续性能

Test Method：将数据写入memory的存储器单元，删除数据，重复该过程多次

试验条件：室温或以上，每个数据的读写次数达到100k~100k

基准：

MIT-STD-883E Method 1033

数据保持力测试（Data Retention Test）

目的：反复读写后，加速非易失性memory设备存储节点的电荷损失

测试条件：在高温条件下memory将数据写入存储器单元后，多次读取验证单元的数据

失效机制：150℃

基准：

MIT-STD-883E Method 1008.2

MIT-STD-883E Method 1033

相同瓦数led灯是灯珠好还是cod集成芯片好?

当然是灯珠的好，灯珠的是各自封装成片，对散热及光线均匀性都有好处，而且光衰更慢，更加耐用，cob直接用芯片直接封装的，封装方式更简便，价格上也就相对更便宜，但质量上比不上用灯珠的。