led灯珠怎么接?

led小灯珠接线路：电源正负极就是GND和MODE那两条线，现在控制器输出有四个孔，先看下那个带十号的孔在这四个孔的中间还是边上，如果在边上那你就把三颗LED的正极连在一起接到这个孔上，三颗LED的负极分别接到另外三个孔。

是否有外置驱动电源(适配器，或者叫镇流器)?如果有适配器，那么随便拿适配器的输出端的两条线接到灯上即可。如果第一次的接法灯不亮，那对换一下两条线，灯即可亮了。即使第一次接错也不会影响LED灯。

如果没有外置驱动电源，那就不能直接接AC220V的市电了。如果你想判断正负极，也可以拆开灯看看，里面一般会有“+-”标注正负极。

1.买合适的灯，一般电动车上的灯都是12V的，所以不要买错了。

2.找合适的位置，要么替换原先的，要么找个能装灯的地方。

3.拆前盖，现在的线路多是集线，都是各种插口，如果你想直接用原先的控制，只需要找到原先的灯的线路，把新灯的电线直接插到入口端那里试试能不能亮就好。

4.注意，LED灯是有正反的，电线接反了不亮。

5.如果想做一个新的开关，就找电源线的出口端接进去，而不是原先的灯的入口端。注意正极(一般是红线)接开关，再从开关接到电源线的接口端。

6.整理好线材，就近扎紧，不要让线材乱跑。

led灯珠照明技术路径涉及外延、基板、封装、白光led灯珠的种类等多方面。红色、绿色、蓝色led灯珠、磷、砷、氮等III？V族由化合物、例如砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP、磷砷化镓（GaAsp）以及氮化镓（GaN）等半导体构成。

1、led灯珠外延技术

近10年来，业界通过改善外延生长工艺实现了位错密度大的改善。但是，主流的白光照明用蓝色光led灯珠的氮化镓GaN和基板间格子和热膨胀系数的不匹配仍然带来了高位错密度。以前，led灯珠通过研究外延技术最大限度地降低缺陷密度，提高结晶质量是led灯珠技术追求的目标。

led灯珠的外延片是led灯珠的核心部分，led灯珠的波长、正向电压、亮度或发光量等光电参数基本上依赖于外延片材料。外延技术和装置是外延片制造技术的关键，金属有机物气相沉积技术MOCVD是III？V族,IIVI族和合金薄层结晶的主要方法。外延片的位错作为非辐射复合中心对器件的光电特性有非常重要的影响。

led灯珠外延结构及外延技术研究：

①led灯珠现有的成长技术包括多量子阱在低In成分的InGaN预阱释放应力前成长，作为载体“蓄水池”发挥作用，为了提高屏障层的结晶质量GaN使阻挡层再升温成长，使晶格匹配的InGaAlN阻挡层或成长应力互补的InGaN/AlGaN结构等成长。量子阱有源区InGaN/GaN量子阱活动区域是led灯珠外延材料的核心，成长InGaN量子阱的关键是控制量子阱的应力，减少极化效果的影响。

经过2年的发展，led灯珠的外延层结构和外延技术相对成熟，led灯珠的内量子效率达到90%以上，红色led灯珠的内量子效率接近100%。但是，在大功率LED灯珠研究中，发现在称为Droop效应的大电流注入下量子效率的降低是显着的。GaN基led灯珠的Droop效应的原因相对倾向于运营商的局部化、来自活动区域的泄漏或溢出以及Auger复合。实验表明，使用宽量子阱降低载流子密度，优化p型区域的电子阻挡层都可以缓解Droop效应。

led灯珠在外延结构和外延技术研究中的其他具体技术如下：。

①表面粗糙化技术

led灯珠外延表面粗糙化相当于改变出射角度避免出射光全反射，由于外延材料的折射率与封装材料不同，所以一部分出射光被反射到外延层。在过程中，如果直接处理外延表面，则容易损伤外延活性层，难以制作透明电极，通过改变外延层的生长条件，能够进行表面粗糙化。

②基板剥离技术

led灯珠蓝宝石基板激光剥离技术是GaN基于同质外延剥离开发的技术，使用紫外线激光照射基板，熔解过渡层并剥离，2003年OSRAM在该过程中剥离蓝宝石，将出光率提高到75%，是以往的3倍，作为生产线形成。

③led灯珠根据触发器技术美国Lumileds公司的数据，蓝宝石基板的led灯珠增加了约1.6倍的出光率。

④led灯珠全方位反射膜尽可能使出光正面以外的表面的出光返回到外延层内，最终提高从正面的出光率。

⑤led灯珠二维光子晶体的微观结构提高了出光效率，2003年9月日本松下电器制作了直径1.5微米，高度0.5微米的凹凸光子晶体led灯珠，使出光率提高了60%。

2、基板技术

led灯珠经常使用的芯片基板技术路径主要有蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板3种，还有正在开发中的氮化镓、氧化锌等。对基板材料提出要求：

①led灯珠基板与外延膜层的化学稳定性一致，基板材料具有良好的化学稳定性，在外延生长温度和气氛中难以分解和腐蚀，不与外延膜发生化学反应而降低外延膜的质量。

②led灯珠基板与外延膜层的热膨胀系数一致，如果热膨胀系数的差太大，则外延膜的生长质量降低，在元件的动作中有可能造成发热引起的元件损伤。

③led灯珠基板与外延膜层的结构一致，若两者的材料的晶体结构相同或接近，则晶格常数的失配小，结晶性好，缺陷密度低。

我国led灯珠硅基板技术目前已经突破技术，正在努力发展大规模的产业化应用。目前，用于商品化GaN基led灯珠的基板仅是蓝宝石和碳化硅基板。可用于其他GaN基led灯珠的基板材料是距离产业化相当远的GaN同模基板、ZnO基板。